記憶體超級循環下的雙缺口——HBM 外溢效應推升 NAND 與 NOR 漲價,台灣族群迎長期支撐
2026年記憶體市場進入超級循環,國際三大原廠優先發展高毛利HBM產品,相對擠壓DRAM、NAND Flash、NOR Flash的供給,形成結構性短缺。NAND供給增速僅15%遠低於需求增速20%以上,AI推理一項就消耗全球DRAM 35%與NAND 92%年供應量。2026年上半年DRAM合約價漲幅32%、NAND Flash漲30%、NOR Flash漲30至100%。台灣記憶體族群直接受惠,晶豪科營收年增328%、群聯毛利率61.82%、南亞科年增621%、華邦電年增189%、旺宏年增216%。










